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ATP405
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=100V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
100
10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=20A
2.0
62
3.5
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=20A, VGS=10V
VDS=20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=60V, VGS=10V, ID=40A
IS=40A, VGS=0V
25
4000
300
170
38
125
220
150
68
14
15
0.9
33
1.2
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10V
0V
VIN
VDD=60V
L
VIN
ID=20A
RL=3 Ω
≥ 50 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
ATP405
G
10V
0V
50 Ω
VDD
ATP405
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ATP405-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1458-2/7
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